《表1 100 W半导体激光器巴条光电参数Tab.1 Optoelectronic parameters of 100 W semiconductor laser bars》

《表1 100 W半导体激光器巴条光电参数Tab.1 Optoelectronic parameters of 100 W semiconductor laser bars》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究》


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烧结时间是影响半导体激光器的烧结质量的一个重要因素,对不同烧结时间下封装的半导体激光器巴条样品,利用大功率半导体激光器参数测试仪(测试条件为:管座温度25℃,脉冲宽度200μs,重复频率50 Hz),测量额定输出功率为100 W时的其他光电参数,详细结果见表1。