《表1 100 W半导体激光器巴条光电参数Tab.1 Optoelectronic parameters of 100 W semiconductor laser bars》
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《管式炉中半导体激光器巴条Au80Sn20焊料封装研究》
烧结时间是影响半导体激光器的烧结质量的一个重要因素,对不同烧结时间下封装的半导体激光器巴条样品,利用大功率半导体激光器参数测试仪(测试条件为:管座温度25℃,脉冲宽度200μs,重复频率50 Hz),测量额定输出功率为100 W时的其他光电参数,详细结果见表1。
图表编号 | XD0030822300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 袁庆贺、张秋月、井红旗、仲莉、刘素平、马骁宇 |
绘制单位 | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心、中国科学院大学材料科学与光电技术学院、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心、中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 |
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