《表3 TiBN薄膜氧化处理前后方阻和电阻率对比Tab.3 Sheet resistance and electrical resistivity of TiBN films before and a

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《渗硼镀膜法制备TiBN薄膜的电子导电性及其潜在应用前景》

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对氧化处理TiBN薄膜进行了方阻和电阻率检测，表3显示测试结果，由表3可见，随着氧化温度从300℃增加到600℃，No.5试样、No.6试样、No.7试样和No.8试样的电阻率从0.560×10-7Ω·m增加到0.641×10-7Ω·m，和未经氧化处理TiBN薄膜电阻率相比（0.495×10-7Ω·m），增加幅度不大，说明TiBN薄膜有很好的抗氧化性能。