《表1 不同溅射功率下TiNx的电阻率Tab.1 The resistivity of TiNx film at different sputtering power》
提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《TiN薄膜制备方法、性能及其在OLED方面应用的研究》
以上可知,磁控溅射生长TiNx薄膜存在三种形态:溅射功率4kw,N2流量8.5sccm时,Ti与N充分反应,得到的TiNx薄膜电阻率最低;溅射功率降低或者N2流量增加时,得到的TiNx薄膜富N,反射率降低,电阻率增加;溅射功率增加或者N2流量降低时,得到的TiNx薄膜富Ti,反射率增加,电阻率增加。
图表编号 | XD0019708600 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.09.30 |
作者 | 张阳、吕军锋、杨建兵、吴远武、刘腾飞 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所、国家平板显示工程技术研究中心、西安北方光电股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、国家平板显示工程技术研究中心、中国电子科技集团公司第五十五研究所、国家平板显示工程技术研究中心、中国电子科技集团公司第五十五研究所、国家平板显示工程技术研究中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
查看“表1 不同溅射功率下TiNx的电阻率Tab.1 The resistivity of TiNx film at different sputtering power”的人还看了
- 表3 不同退火时间下AZO纳米叠层薄膜方块电阻值Tab.3 Block sheet resistance values of the AZO nanolaminate films at different annealing time
- 表2 不同退火温度下AZO纳米叠层薄膜方块电阻值Tab.2 Block sheet resistance values of the AZO nanolaminate films at different annealing tempera
- 表1 绝缘垫块试样常温下的绝缘电阻和吸收比Tab.1 Insulation resistance and absorption ratio of insulation pad sample at room temperature