《表1 不同退火温度的薄膜的漏电流数据Tab.1 Leakage current density of Zr O2films, annealed at different temperatures》下

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《旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用》

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在溶液法制备薄膜的过程中，高温后退火可以移除湿膜中的杂质副产物等，以形成稳定均一的薄膜。退火后的氧化锆薄膜除Zr O2外，还含有氧化锆水合物，对氧化锆薄膜的后期高温处理一方面使氧化锆水合物脱水形成氧化锆，另一方面促使氧化锆结晶。为了探究不同的退火温度对薄膜性能的影响，将旋涂后的薄膜分别置于300，400，500℃下退火1.5 h，并利用MIM结构（ITO/Zr O2/Al）测试薄膜的电学特性。表1是不同退火温度的薄膜的电学数据，可以看出，300℃后退火的薄膜具有更好的介电特性，其中漏电流密度为1×10-4A/cm2，击穿电压为15 V。