《表1 器件在不同电流密度下的CIE坐标Tab.1CIE coordinates of the devices in different current density respectively》

《表1 器件在不同电流密度下的CIE坐标Tab.1CIE coordinates of the devices in different current density respectively》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《中间层对三原色白光OLED的影响》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

图7是器件的E-V特性曲线,器件A、B、C、D的最大效率分别为28.25,25.33,26.88,22.56cd/A。器件的最大发光效率随中间层数量下降,这是因为中间层可以直接调节载流子分布以及影响能量转移使得存在中间层的器件与无中间层器件相比,激子被限制在某些区域内,利用率下降,发光效率较低。B器件最大发光效率不及C则是因为C器件中蓝绿发光层主体材料相同,客体材料之间形成共振,激子能够更高效地被利用。4种器件均是随电流密度增加达到峰值后开始下降,主要有两方面的原因:一是电子和空穴在越过势垒之后随电流密度增加出现了三线态极化子湮灭效应[22];二是电流密度较高时出现激子聚集导致猝灭效应发生。在后续大电压的情况下,D器件开始逐渐拥有最大发光效率,这是由于器件D有双中间层的存在,三线态激子猝灭效应低于器件A、B、C。表1为4种器件在不同电流密度下的CIE。