《表2 不同结构的器件性能参数比较Tab.2 Comparison of performance parameters of the devices with different structures

《表2 不同结构的器件性能参数比较Tab.2 Comparison of performance parameters of the devices with different structures   提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真》


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图10为优化注入的氢离子浓度和注入的氟离子浓度后的Al GaN/GaN HEMT器件的转移特性曲线、输出特性曲线和击穿特性曲线。其中注入的氟离子浓度为4.2×1018cm-3，注入的氢离子浓度为8×1018cm-3。

图表编号XD00188440700    严禁用于非法目的
绘制时间2018.12.03
作者杨鹏、杨琦、刘帅
绘制单位中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所
更多格式高清、无水印（增值服务）

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