《表1 不同ETL层的QLEDs器件性能参数Tab.1 Performance parameters of QLEDs with different ETL layers》

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表1为不同ETL层QLEDs器件的性能数据总结，可以看出，当TPBI∶Liq层厚度为15 nm时，器件具有最高的电流效率22.77 cd/A，比仅采用Zn O NPs ETL的QLEDs器件的电流效率提升近一倍（11.53 cd/A）。此外，引入15 nm厚度的TPBI∶Liq层，器件的启亮电压无明显变化，这进一步表明了TPBI∶Liq层的增加主要抑制了电子过量的注入和传输，对空穴的注入和传输无明显影响。