《表1 关键器件性能指标Tab.1 Test performance indexes of the device》

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《K波段高效率GaAs收发一体多功能芯片》

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注:NF为噪声系数，G为增益，Psat为饱和输出功率、PAE为附加效率。

对于器件工艺，为同时兼容噪声和功率特性，本文采用典型栅长为0.18μm的Ga As p HEMT器件工艺。该器件结构如图2所示，Ga As p HEMT外延材料主要由Ga As欧姆接触层、Al Ga As肖特基势垒层、Al Ga As隔离层、In Ga As沟道层及衬底等组成，其中In Ga As沟道层中二维电子气的浓度和迁移率对器件性能起决定性作用。提高In Ga As中In组分可提高迁移率，获得较好的器件噪声性能，但是较高的In组分会导致Al Ga As隔离层和In Ga As沟道层之间的晶格更加失配，降低器件击穿电压，恶化器件功率特性，增大器件插入损耗。为兼顾器件的噪声、功率和等插损指标，对In组分百分比进行了优化以提升器件性能。表1为本文所用器件关键性能指标。