《表1 MCT器件结构参数Tab.1 Structure parameters of the MCT device》

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《金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化》

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根据图1所示结构在Sentaurus TCAD软件中建立击穿电压为1 400 V的MCT器件模型，表1所示为MCT结构相关参数。表中:LC为半元胞宽度；A为器件面积；LG为MOS管栅宽；NDC和ND分别为n+阴极和n型漂移区的掺杂浓度；WD为n型漂移区厚度。为保证器件正向阻断能力大于1 400 V，漂移区掺杂浓度选择为2.5×1013cm-3，厚度为110μm。