《表1 失效存储单元器件电参数Tab.1 Device electrical parameters of the failure storage unit》

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《28 nm工艺开发中的器件局域失配研究》

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由于失效存储单元由6个器件组成（6T），采用纳米探针对失效单元的6个器件分别进行量测确认失效器件。测试结果如表1所示，表中PD1和PD2为存储单元器件下拉器件；PG1和PG2为传输器件；PU1和PU2为上拉器件；Id为饱和电流。从表1可以看出，n型器件PG1异常，即阈值电压过低，Ioff高，阈值电压仅为0.09 V（正常器件0.33 V），Ioff比正常器件大100多倍。