《表1 模拟和计算中使用的器件参数Tab.1 Device parameters used in the simulations and calculations》

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《pMOS器件NBTI效应随着器件参数变化规律的一种模型》

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使用数值模拟和理论计算两种方法，分别仿真计算了一组常用的pMOS硅器件[4]，模型参数如表1所示，改变沟道掺杂浓度Nd，看NBTI效应的变化。数值模拟使用Genius-Open开源软件，计算时可以去掉网格优化相关的步骤，避免网格变动带来的影响。在设计器件模型时，尽量保证相关变量的一致性。