《表1 仿真中设计的相关器件参数Tab.1 Parameters of related devices designed in the simulation》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

LDD-HEMT结构仿真模型如图3所示，模型自上而下包括Si N钝化层、Al GaN势垒层、GaN缓冲层和SiC衬底。图中:LS=LD=0.5μm，LG=LLDD=0.75μm，LGS=1.5μm，LGD=5μm，其中LS为源电极横向长度，LD为漏电极横向长度，LG为栅电极横向长度，LGS为栅源电极间距离，LGD为栅漏电极间距离，LLDD为氟离子注入区域的横向长度。氟离子的掺杂浓度初始定为2×1018cm-3，之后对其进行优化。模型其他仿真参数如表1所示，表中Emid为中心能级。取消氟离子注入即为常规结构的Al GaN/GaN HEMT仿真模型。