《表1 碳化硅MOSFET与传统硅MOSFET器件参数Tab.1 Parameters of SiC MOSFET and the traditional Si MOSFET devices》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于WBG器件的零电流直流隔离变换器研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为了使该系统可以达到更高的效率，首先考虑应尽可能减小开关损耗，降低开关频率。同时在本设计中，对开关器件在关断时的绝缘能力提出了更高的要求。随着半导体制造工艺的不断发展进步，宽禁带WBG（wide bandgap）功率开关器件（如GaN，SiC等）为未来替代传统硅器件提供了可能。表1为宽禁带器件碳化硅MOSFET与传统硅MOSFET器件相关参数比较。