《表2 拓扑工况：采用SiC MOSFET与Si MOSFET的双有源桥效率仿真分析对比》

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《采用SiC MOSFET与Si MOSFET的双有源桥效率仿真分析对比》

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搭建DAB拓扑仿真模型，如图2所示。考虑到IPW 60R075CP体二极管续流特性，仿真时需在MOSFET的DS极间额外并联肖特基二极管作为续流二极管。规定拓扑工况见表2。该工况模拟双向车载充电机中DC/DC输入为前级AC/DC输出的400 V DC电压，输出侧为端电压360 V的动力电池组。额定输出功率为3.3 kW。