《表2 Si C MOSFET参数》

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《针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计》

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对于一般功率MOSFET来说，Ciss的值远大于Crss，但Crss本身的值并不算太小。当MOS管的开通进入米勒平台时期时，由于Cgd两端的电压变化非常大，导致流入栅极的电流绝大多数为Cgd充电所用，因此Vgs的斜率会变得很小或甚至为零。某Si C MOSFET中Ciss与Crss的值如表2所示，Vds为漏源极电压。