《表1 Si MOSFET参数》

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《针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计》

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在MOSFET开通过程中，Vgs的上升和反向传输电容Crss与输入电容Ciss有关，Crss=Cgs+Cgd，Ciss=Cgd，其中Cgs为栅源极间的寄生电容，Cgd为栅漏极间的寄生电容。某普通Si MOSFET中参数Crss与Ciss如表1所示。