《表1 三代SiC MOSFET界面态模型仿真参数对比Tab.1 Comparison of simulation parameters of interface state model among

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《碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究》

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通过调整仿真计算中Ditmid、Ditedge和σ，来拟合转移特性曲线IDS-VGS。仿真中取P-well掺杂浓度为4×1016cm-3，为校正阈值电压相对值，CMF、C2M、C3M SiC MOSFET器件仿真氧化层厚度分别选择45、35、45 nm。表1为仿真拟合所得界面态模型参数，其中Ditmid和σ数值选取参考文献[11]。