《表3 双脉冲测试条件：无反向恢复的Si基MOSFET+SiC二极管混合电力电子器件》

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《无反向恢复的Si基MOSFET+SiC二极管混合电力电子器件》

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测试条件如表3所示。图5为双脉冲测试波形图，按照由上到下的次序依次为上组合管S1、S2两端电压与流过电感L电流。测试结果图5a与理论分析相符，验证了组合管功能。从测试结果图5b可以看出，MOSFET模块的关断过程大概持续10 ns，关断时MOSFET模块两端电压有着140 V的电压过冲，并且有着周期为20 ns的高频振荡。