《表1 Si基MOSFET元件参数》

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《无反向恢复的Si基MOSFET+SiC二极管混合电力电子器件》

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针对600 V/10 A的应用场合，使用分离元件搭建MOSFET模块。如图2所示，其中S1为高压Si基MOSFET，S2为低压Si基MOSFET，V为SiC二极管。元件具体参数如表1、表2所示。