《表2 Si C MOSFET与Si基IGBT的损耗与结温对比》
Si C MOSFET模块与Si基IGBT器件损耗计算结果如表2所示。
图表编号 | XD00188162100 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.09.10 |
作者 | 黄南、吴智勇、王雄、宋郭蒙、饶沛南、丁云 |
绘制单位 | 中车株洲电力机车研究所有限公司、中车株洲电力机车研究所有限公司、中车株洲电力机车研究所有限公司、中车株洲电力机车研究所有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、中车株洲电力机车研究所有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |