《表1 Si C MOSFET 3种短路故障的特征对比》

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《SiC MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望》

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表1归纳了3种短路故障类型的各项特征对比结果。由表1可知，Type II与Type III型短路故障特征较为相似，区别在于对寄生体二极管的损伤程度不同。在Type I型短路故障下，器件短路瞬间积累的能量相对较大，因此通常将此类短路故障实验作为Si C MOSFET短路失效分析的实验方法[14，19]。由于Si C MOSFET在部分中高压应用场合下有望取代硅基IGBT，因此其可能发生的短路故障类型与IGBT的短路故障类型较为相似[20]。在国际电工委员会标准IEC 60747-9中，明确指出IGBT的两种类型的短路故障，即HSF以及FUL。而电机驱动作为Si C MOSFET的应用领域之一，极有可能在能量由负载流向变频器时发生短路故障，因此Type III型短路故障也应该被研究者所考虑。