《表3 4H-Si C中5种点缺陷的形成能Tab.3 Forming energy of five kinds of point defects in 4H-Si C》

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《4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究》

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式中:Edoped为掺杂后晶体的总能；Eperfect为未掺杂晶体的总能，即本征态4H-Si C的总能；为掺杂过程中增加或减少的离子的总能量，其中ni为晶胞中增加或减少的原子i（i为C，Si，B，P）个数（增加为正，减少为负），Ei为原子i所对应的能量。计算结果如表3所示。