《表4 3种杂质缺陷的电离能Tab.4 Ionization energy of three kinds of impurity defects》

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《4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究》

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式中，即可求得电子的有效质量。再分别利用式（4）和式（5），即可求得受主杂质和施主杂质的电离能大小，求解结果如表4所示。结果表明:替位P的电离能最小，最容易电离完全。替位B与替位P的电离能大小接近，但明显要比填隙B的电离能要小很多，说明要使填隙B发生高效的电离，需给它提供更高的能量才能实现。