《表5 5种点缺陷的载流子浓度对比Tab.5 Carrier concentration comparison of five kinds of point defects》
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式中EC即为导带底能量。由于这两种缺陷的缺陷能级都比较靠近导带，所以本文仅计算了导带的电子密度。根据上文建立的掺杂晶格模型和公式，分别对其载流子浓度进行了计算，计算结果如表5所示。
| 图表编号 | XD001091700 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.01.03 |
| 作者 | 郭楠伟、邓二平、赵志斌、陈杰、杨霏、黄永章 |
| 绘制单位 | 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室、华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室、国家电网全球能源互联网研究院、华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室、华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室、国家电网全球能源互联网研究院、华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室 |
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