《表5 可能存在的缺陷簇的形成能和结合能Tab.5 The forming energy and binding-energy of various defect clusters》

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《Nb掺杂对BaTi_(0.98)Fe_(0.02)O_3陶瓷介电性能的影响》

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由表得知Nb5+比Fe3+更容易取代Ba Ti O3晶格中的Ti4+，且电子补偿优先于钡空位补偿、钛空位补偿。而由Smyth[13]研究表明，当施主掺杂发生电子补偿时会引起电导率增大，对比介电温谱中介电损耗并没有显著增大得知电子补偿并没有发生。所以缺陷补偿方式由易到难依次是Nb5+和Fe3+相互补偿，Nb5+掺杂钡空位、钛空位补偿，Fe3+掺杂氧空位补偿，从而引入[Nb·Ti-Fe'Ti]、[2Nb·Ti-V″Ba]、[Nb·Ti-VTi″″]、[2Fe'Ti-VO··]四种缺陷簇。表5给出了通过GULP模拟计算出的各缺陷簇形成能以及结合公式（12）计算出的缺陷簇的结合能。结合能越低，缺陷簇越趋于稳定[10]。所以由表5中结合能大小得知缺陷簇的稳定性依次是[2Nb·Ti-V″Ba]、