《表4 形成热、结合能计算结果Table 4 Heats of formation and cohesive energy》

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《"Bi掺杂Mg_2Si的稳定性,弹性性能和电子结构的第一性原理计算"》

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根据图3可知，Mg2Si价带与导带存在带隙，导带底和满带最大值在k空间中处于不同位置，因此Mg2Si为间接带隙半导体。当Bi掺杂Mg2Si后，费米能级处于导带中，价带中的价电子跃迁到导带（即本征激发）会生成自由电子和自由空穴，提高Mg2Si的导电性。