《表2 Se掺杂完美Ge Te不同取代位置的形成能Table 2 Formation energy of Se doping at different substitution positions i
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本节研究了Se掺杂Ge Te完美晶体。当掺杂Se原子时，可能的占位情况有:取代Ge原子、取代Te原子或占据间隙位置。由于Se间隙原子造成较大的晶格畸变，具有较高形成能，故不作比较。计算得到不同取代位置的形成能Ef如表2所示。
| 图表编号 | XD002682000 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.05.01 |
| 作者 | 方治乾、缪奶华、周健 |
| 绘制单位 | 北京航空航天大学材料科学与工程学院、北京航空航天大学材料科学与工程学院、北京航空航天大学国际交叉科学研究院集成计算材料工程中心、北京航空航天大学材料科学与工程学院、北京航空航天大学国际交叉科学研究院集成计算材料工程中心 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
