《表2 Ni定位取代不同数量的C或Si产生的磁矩Table 2 The magnetic moment after Ni substitution for different amounts of C

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《Ni定位掺杂4H-SiC(001)磁性与光学性质的研究》

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取代C原子比取代Si原子得到的磁矩大，选取取代不同数量下的C原子的光电导，图6（a）和（b）分别是平行于C轴与垂直于C轴掺杂4H-SiC的光电导。通过对比，可以看到随着Ni原子数量的增加，光电导谱出现了展宽且其主要发生在低能量范围，光电导谱边缘发生了明显的红移。Ni原子的掺入在体系的禁带中引入了杂质能级，使得能带的带隙减小，与掺杂前相比在较小的能量下电子就可以从价带跃迁到导带，因此光电导谱在低能量的范围内出现了展宽，随着Ni原子数量的增加，杂质能级也相应增加，带隙进一步减小，电子更容易跃迁，因此出现红移。在垂直于C轴的方向，在低能量1~2eV时出现了一个较小的峰，该峰出现的区域属于中红外区域，而且强度比掺杂2个Ni与3个Ni的强度更大，说明掺杂1个Ni时在中红外区域电子更容易跃迁，这是由于Ni掺杂体系存在磁性，影响了在中红外区域的电子跃迁。