《表1 MIM电容极板不同层次返工实验Tab.1 Rework experiments for the MIM capacitor plate of different levels》
MIM极板不同层次的光刻返工实验如表1所示,选用A组样品对MIM电容层的上极板Ti N层进行光刻返工,并在返工后进行缺陷扫描来确保返工后光刻胶被完全去除。B组样品则对MIM电容层的下极板铝铜金属层2进行光刻返工。C组样品则作为正常工艺对照组,所有工艺均为正常工艺。这3组样品完成后续正常工艺流程后,进行最终产品良率测试。
图表编号 | XD001090800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.01.03 |
作者 | 刘峰松、陶有飞、陆金 |
绘制单位 | 上海先进半导体制造股份有限公司、上海先进半导体制造股份有限公司、上海先进半导体制造股份有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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