《表1 MIM电容极板不同层次返工实验Tab.1 Rework experiments for the MIM capacitor plate of different levels》

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《光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案》


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MIM极板不同层次的光刻返工实验如表1所示,选用A组样品对MIM电容层的上极板Ti N层进行光刻返工,并在返工后进行缺陷扫描来确保返工后光刻胶被完全去除。B组样品则对MIM电容层的下极板铝铜金属层2进行光刻返工。C组样品则作为正常工艺对照组,所有工艺均为正常工艺。这3组样品完成后续正常工艺流程后,进行最终产品良率测试。