《表2 不同返工流程的实验对比Tab.2 Experiments comparison of different rework processes》

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《光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案》

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针对干法去胶光刻返工造成的Si N损伤，需要找到一种优化的光刻返工流程来降低失效率。基于正常返工流程中干法去胶中的氧气等离子体电荷损伤，尽量避免采用等离子体电荷来进行去胶处理。可以利用光刻机中的有机显影溶剂来去除光刻胶，这里的有机显影溶剂一般采用从边缘光刻胶去除中得到的丙二醇甲醚醋酸脂（PGMEA）或乙酸二甲氧基乙酯（EGMEA）溶剂来清洗掉未经曝光的光刻胶。而正常曝光后的正性光刻胶则采用四甲基氢氧化铵（TMAH）来去除。由此设计了另外一组对比实验。表2为4组样品不同返工流程的实验对比。对所有实验片进行MIM电容相关参数测试，发现D组和F组良率均较低，而E组和G组良率正常，无明显差异。从结果来看，有机显影溶剂返工控制在两次以内的F组样品，对良率无明显影响。同时根据窗口实验对比，光刻有机显影溶剂返工时间控制在60 s以内，可以有效去除表面光刻胶，并对Ti N层表面没有明显损伤。E.G.Colgan[8]研究发现，如果有机显影溶剂清洗时间过长，会侵蚀Ti N层与铝铜金属层界面，金属刻蚀后容易形成环状金属残留。