《表2 不同工艺级下传感器功耗对比Tab.2 Comparisons of the power consumption of the sensor at different process level

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《一种低功耗高鲁棒性老化预测传感器》

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在晶体管工艺级不断降低的今天，功耗问题越来越受到人们的关注。温度对功耗十分敏感，随着功耗的上升，晶体管工作的温度将会成比例上升。因此功耗问题成为集成电路设计师关注的重要问题。本文与拥有相同功能的文献[9]和文献[11]中的结构的功耗（P）进行对比，实验选择在不同的工作环境下进行，如表2和表3所示。表2为不同工艺级下功耗对比，传感器的工作电压为0.9 V，工作温度为37℃。表3为不同温度（θ）下功耗对比，此时传感器工艺级为32 nm，工作温度为37℃。由表2表3数据对比可见，本文结构相比较前人结构功耗降低了至少41.3%。