《表1 本征态4H-Si C及含各种点缺陷的晶格常数Tab.1 Lattice constants of eigenstate 4H-Si C and others with various poin

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《4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究》

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不同的点缺陷都会对4H-Si C的晶格造成畸变。有的点缺陷会造成晶格体积的膨胀，比如填隙B，相比本征态，超晶胞体积增大了5.860×10-4nm3，这是因为在周期性的4H-Si C晶胞中，间隙位置突然增加的B原子对周围的Si原子和C原子都产生了一定的排斥作用所导致的。其他4种点缺陷晶格常数均有所减小，其中VC-C的晶格常数减小得最多，超晶胞体积减小了8.281×10-4nm3，因为这种缺陷不仅发生了Si原子的缺失，而且C原子移动到Si原子位置后，对周围原子产生的排斥减弱，所以晶格常数比简单的VC减小得更多。