《表1 不同方法制备的La2 (Zr0.7Ce0.3) 2O7样品的比表面积和晶格常数信息Tab.1 The specific surface areas and lattice parameters

《表1 不同方法制备的La2 (Zr0.7Ce0.3) 2O7样品的比表面积和晶格常数信息Tab.1 The specific surface areas and lattice parameters   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《不同合成方法对纳米La_2(Zr_(0.7)Ce_(0.3))_2O_7晶体生长活化能的影响》


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众所周知,晶体生长活化能与材料的热处理过程密切相关,而在热处理过程中包括结晶和烧结两个过程。晶体生长活化能越大,在晶体生长的过程中所需要克服的能量势垒越大,因此晶体生长的速率越低[5]。这一事实与本实验得到的样品在不同温度下热处理后计算出的平均粒径尺寸增长趋势相一致。此外,在高温热处理过程中,颗粒的增长主要是通过消除颗粒间的边界而融合在一起,形成团聚体。根据颗粒旋转聚集理论[7-8],颗粒在旋转过程中会通过消除边界而发生融合,而众多的、较小的、不同方向的边界将会进一步增大颗粒间融合的势垒,从而减缓颗粒增长的速度。在本文,水热合成法制备的样品其平均粒径尺寸要小于溶胶凝胶法制备的样品,因此相邻颗粒之间的边界更小,边界的方向也是多样化的。根据这一理论,水热合成法样品所需克服的晶界势垒也就越大,因此晶体生长活化能也就越高。另一方面,材料的合成方法对材料的晶体生长也有很重要的影响,例如吸附原子等化学因素能够改变材料的成核以及初始表面能,从而进一步影响材料的晶体生长活化能[9-11]。再者,材料的表面扩散、缺陷等因素也会影响材料的晶体生长,这方面的机理非常复杂,相关研究正在进行中。