《表2 不同厚度WO3薄膜着色前后晶格应变Table 2 Lattice strain of WO3 films with different thickness before and after c

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《反应磁控溅射氧化钨电致变色薄膜结构与性能》

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同时发现不同厚度的薄膜着色前后#1峰位偏移程度较大，而#2峰附近有FTO的衍射峰，由于受FTO峰影响，#2峰偏移不明显，而#1峰偏移程度不受FTO峰位影响。不同厚度WO3着色前后#1峰位变化如图3所示，在此基础上计算获得不同厚度薄膜着色前后所产生的晶格应变见表2。以#1峰位偏移程度来表征压应力变化[20]，可得压应力随着薄膜厚度增加先减小后增大，厚度为250 nm薄膜的内应力最小，即晶格应变最小，为1.35%，本文所研究的不同厚度WO3样品中，厚度为50 nm和300 nm的最薄、最厚薄膜着色后产生压应变较大，大于2%。