《表2 不同Si原子分数的Zr Si N薄膜在不同温度下的平均摩擦因数Table 2 Average friction coefficients of Zr Si N thin films with

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《磁控溅射ZrSiN薄膜的微观结构表征及其力学与摩擦学性能研究》

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由表2可知:在室温下，随着Si的原子分数增加，薄膜的摩擦因数略有增大，虽然当Si的原子分数为22.67%时又有所下降，但总的来说稳定在0.8左右。在650°C时，随着Si含量增大，薄膜的摩擦因数降低。且薄膜在650°C时的摩擦因数小于室温下的摩擦因数。推测是因为650°C已经超过了薄膜的氧化温度，Zr N生成了锆氧化物，其中低剪切模量的马格内力相Zr O2能够有效地降低薄膜的摩擦因数[12]。虽然Zr含量越大，高温下Zr O2的含量也越多，但是氧化物含量多容易发生粘着，反而会导致摩擦因数增大。而由于Si含量增大，Zr及其氧化物的含量就相对减小，因此薄膜的摩擦因数随Si含量增大而下降。