《表1 不同Si靶功率下所制Zr Si N薄膜的元素组成》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《磁控溅射ZrSiN薄膜的微观结构表征及其力学与摩擦学性能研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

由表1可知，随着Si靶功率增大，薄膜中Si的原子分数从0.00%增加到22.67%，Zr的原子分数从42.44%下降到26.94%，而N的原子分数只是略有下降。这是因为硅靶功率越大，溅射出的Si元素就越多，导致Zr的原子分数相对减小。