《表1 退火前后Al Cr Nb Si Ti V高熵合金氮化薄膜的元素组成》
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《退火对磁控溅射AlCrNbSiTiV高熵合金氮化薄膜性能的影响》
EDS测定的退火前后薄膜元素成分见表1,磁控溅射产生了(AlCrNbSiTiV)50N50结构的薄膜,退火前后元素含量基本保持稳定。
图表编号 | XD00130454300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.15 |
作者 | 万松峰、丁佳伟 |
绘制单位 | 东莞职业技术学院机电工程系、东莞职业技术学院机电工程系 |
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