《表1 TaWTiVCr高熵合金薄膜的沉积工艺参数和合金元素组成》

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《TaWTiVCr高熵合金薄膜的制备及微观结构、力学性能研究》

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基于实验设计，同一靶上的轻质金属元素（Ti、V、Cr）和重质金属元素（Ta、W）在含量上大致相等，但实际元素组成与设计值相比存在一定差距。其中Ta、W合金元素在各组别中含量差值较小，基本在1%以下，但Ti、V、Cr元素差值较大。原因在于，三种轻质金属元素沉积速率对沉积电流的响应有所区别，Cr的沉积速率随电流变化较Ti、V更大，故在大电流比下，Cr含量较Ti、V更多，在样品Ta10W10Ti24V26Cr29中，含量差值达到了5.52%。另一方面，受制于粉末冶金工艺条件，同一块靶材上各金属元素并不能严格实现等摩尔比配对，含量上存在一定的差异。图1为放大500倍时，Ta24W24Ti16V19Cr17高熵合金表面元素分布谱图，从图中可以看出，薄膜表面各元素分布均匀，没有明显偏聚现象发生。说明通过沉积电流调整薄膜元素组成，制备元素分布均匀的薄膜是可行的。