《表2 工艺参数对高熵合金薄膜晶体结构的影响》

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《高熵合金薄膜研究现状与展望》

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基底偏压和基底温度是溅射镀膜中最重要的两个工艺参数，表2总结了这两个工艺参数对磁控溅射制备的高熵合金薄膜晶体结构的影响。从表2中可以看出，基底偏压不影响高熵合金薄膜的晶体结构，但显著影响薄膜的择优取向。随着基底偏压的增加，薄膜的择优取向发生改变。（Al Cr Ta Ti Zr）N[37-38]和（Al Cr Nb Si Ti V）N[39]高熵合金薄膜虽然同属于Na Cl型FCC结构，但随着基底偏压的增加，薄膜的择优取向却呈现出不同的变化规律。对于择优取向的变化与任何特定沉积参数之间的关系仍然没有明确的共识，这种分散的结果部分归因于沉积过程本身的复杂性，部分归因于沉积设施之间可能存在的差异[40]。高熵合金薄膜的择优取向显著影响高熵合金的硬度等力学性能，因此有必要系统地研究基底偏压与高熵合金薄膜择优取向之间的关系[6，38]。基底温度则显著影响高熵合金薄膜的晶体结构。例如，Ta Nb Hf Zr[41]和Hf Nb Ti VZr[35]高熵合金薄膜在室温下沉积时均为非晶结构，随着基底温度的升高，这两种薄膜均逐渐晶化，甚至析出了第二相。因此，基底温度对于设计合适的晶体结构的薄膜具有重要的意义。综上所述，薄膜制备工艺参数的合适选择对于制备高质量的高熵合金薄膜至关重要。但是目前现有制备技术的工艺参数与高熵合金薄膜的微观结构之间的关系还需要进一步进行探索，需总结出相应的规律，以此对薄膜的制备起指导作用。