《表1 Cd Se纳米晶薄膜的晶体结构参数》

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《CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究》

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为了确定制备得到的CdSe纳米晶薄膜的结晶情况，使用Cu-Kα射线对其进行XRD测试分析，测试结果展示在图1及其内置图中。根据布拉格定律计算样品的晶格常数c，利用Debye-Scherrer公式估算样品的晶粒尺寸大小，并由膜厚测定仪测出薄膜厚度，结果如表1所示。从图1可看出，CdSe纳米晶薄膜的强衍射峰位于衍射角2θ为25.6°处，归宿于六方纤锌矿结构CdSe的（002）晶面，其沿c轴择优生长的优势明显。内置图为（002）晶面的摇摆曲线，衍射峰光滑、对称，半峰宽较窄（0.168°），表明生长的CdSe结晶性较好，在Si衬底上形成了一层单晶薄膜。从表1可看出，晶粒尺寸约为41.08 nm，薄膜厚度约为73 nm，CdSe纳米晶薄膜沿c轴方向的晶格常数为0.69536 nm。这个数值小于块体CdSe沿c轴方向的晶格常数0.70115 nm[19]，说明薄膜在c轴方向上受到压缩应力的影响，这主要是由于CdSe纳米晶薄膜与Si（100）衬底间出现了晶格失配导致的[20]。