《表2 不同退火温度下ZnS薄膜晶体结构参数》

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《原位退火处理对ZnS/Si薄膜结晶性能的影响》

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结果显示随着退火温度由200℃上升到450℃，FWHM由0.606减小到0.296，晶粒尺寸由13.357nm增大到27.232nm，从以上可以表明ZnS薄膜的结晶度和晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大，结晶度与半高宽值（FWHM）密切相关。XRD衍射峰的半高宽取决于材料内部缺陷或位错引起的晶粒尺寸和晶格应变。表2为计算出在不同退火温度下ZnS薄膜的晶体结构参数。