《表3 不同温度下退火100h后薄膜的XRD基本参数Table 3 Basic parameters of XRD for the 100hannealed films differing in an
提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式
随着温度的升高，Ge（111）择优取向性逐渐下降，说明随着退火温度的升高，锗晶粒的生长不只沿着（111）方向生长。由表3可以看出，随着退火温度的升高，Ge（111）峰的衍射峰半高宽逐渐增加，Ge（111）晶向的晶粒尺寸不断减小。
| 图表编号 | XD0010330900 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.08.10 |
| 作者 | 贺凯、陈诺夫、魏立帅、王从杰、陈吉堃 |
| 绘制单位 | 华北电力大学可再生能源学院、华北电力大学可再生能源学院、华北电力大学可再生能源学院、华北电力大学可再生能源学院、北京科技大学材料科学与工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
