《表2 400℃下退火过程中薄膜的XRD基本参数Table 2 Basic parameters of XRD for the film during annealing at 400℃》

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《退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理》

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由表2可以看出，Ge（111）晶粒尺寸随着退火时间的延长而增大。研究表明，在250℃以及400℃下退火，Ge（111）晶粒尺寸都随着退火时间的延长而增大，并且在400℃退火时，随着退火时间的延长Ge（111）择优取向性变强。但是在250℃下制备的样品的晶粒尺寸以及Ge（111）择优取向性要明显优于400℃下制备的样品。