《表2 Cu-Zn-Sn金属预制层在不同温度下硫化并硒化后所得CZTSSe薄膜的XRD衍射峰特征及晶格参数Table 2 The diffraction peaks characteristics a

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《溅射Cu-Zn-Sn金属预制层后硫(硒)化法制备Cu_2ZnSn(S_xSe_(1-x))_4薄膜及其光伏特性》

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不同硫化温度下CZTSSe薄膜的XRD图及晶格参数如图3和表2所示。通过检索对比PDF卡片库，发现并没有与CZTSSe衍射峰相匹配的PDF卡片。与CZTSSe衍射峰对应的2θ值一般介于CZTSe的27.16°和CZTS的28.44°之间，这主要是由于Se并入CZTS会导致其晶格常数增大，2θ减小。四个样品均在2θ为27°附近展现出（112）面的择优取向。随着硫化温度的升高，CZTSSe峰向2θ更大的衍射峰位置偏移，但均小于CZTS的2θ衍射峰位置，晶格参数a、c及晶面间距d（112）也呈降低趋势。此外，从峰偏移的程度可以判断出Se的并入量，200℃和300℃下CZTSSe的峰位置更靠左，说明其Se含量高于400℃和500℃下制备的CZTSSe样品，这与XRF结果相吻合。从图3的插图中还可以观察到四个CZTSSe薄膜的（112）面均更接近于CZTSe（2θ=27.16°）一侧，表明不同硫化温度下CZTSSe薄膜中Se的含量远大于S。由表2可知，300℃硫化后硒化样品的半高宽（FWHM）最小，表明其结晶性能更好。