《表2 偏压对AlCrSiN涂层 (111) 和 (200) XRD衍射峰的位置、半高宽和晶粒尺寸的影响Table 2 Peak position, FWHM and grain size of th

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《基体偏压对AlCrSiN涂层结构及力学性能的影响》

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式中:λ为Cu Kα的波长（λ=1.542），θ为衍射峰的布拉格角，B是衍射峰的半高宽（FWHM）。式（2）适用于10~100nm的晶粒计算，结果如表2所示。不同偏压下晶粒尺寸在10~16nm范围内，（111） 和（200）方向的晶粒尺寸随偏压增大先减小后增大，偏压为150V的涂层的晶粒最小，因此适当增大偏压可以达到晶粒细化的目的。