《表1 XRD图谱中 (112) 衍射峰的半高宽值》

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《"硒化温度对柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及太阳电池性能的影响"》

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图1为不同温度硒化制得CZTSSe薄膜的XRD图。由于Mo是背电极材料，因此XRD测试得到衍射图谱中存在较强的Mo衍射峰。去除背电极Mo的衍射峰后，四种不同硒化温度制得样品的XRD图谱中在2θ=27.7°，47.3°和54.3°处存在的三个衍射峰分别对应锌黄锡矿结构的CZTSSe的（112），（220） 与（312）晶面[14]，其中最强的衍射峰均对应于（112）晶面，表明不同硒化温度下的四个样品的CZTSSe生长的择优取向均为（112）晶面。由表1知该处衍射峰的半高宽随温度先增大后减小，在580℃硒化温度下半高宽值最小，表明该温度下薄膜的结晶度最高。随着硒化温度的升高，在2θ=33.6°处的（200）衍射峰略有增强。由文献可知该相也是CZTS相[14]，这说明随硒化温度升高尤其在600℃下，CZTSSe相在（200）晶向上的取向增强。除去Mo的衍射峰之外，从图中可以看出不同温度硒化制得四个样品的XRD图谱中均未出现明显的二次相，说明在XRD检测的精度范围内，没有观察到其他的杂相。