《表1 不同质量分数Si C/Al18Si中Al衍射峰和衍射峰半高宽的变化》

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《原位合成SiC对铝基复合材料微观组织和力学性能的影响》

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表2为Al?Si?C体系原位合成Si C反应中不同物质的吉布斯自由能[20，23?24]。由表2可知，式（2）在温度为1400 K时的ΔG为?61.88 kJ/mol<0，在温度为1600 K时的ΔG为?73.61 kJ/mol<0，所以该反应能够发生；根据文献报道[18，25]，在1600～1800 K(1327～1527℃）间可发生Si+C→Si C反应。本文烧结温度为1200℃，所以Si和C之间直接反应生成Si C的情况很难发生。