《表2 Raman光谱中196 cm-1波数处吸收峰的半高宽值》

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《"硒化温度对柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及太阳电池性能的影响"》

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由于ZnSe，CuSnSe3等杂相的晶体结构与CZTSSe相近[14]，因此在XRD图谱中的衍射峰也会重合，仅用X射线衍射无法进行区分。为了进一步研究硒化温度对CZTSSe薄膜的成分组成的影响，以及辨别是否有杂相的存在。利用Raman光谱对不同温度硒化制得的CZTSSe薄膜进行了测试（激发波长为532 nm），结果如图2所示。不同温度硒化制得制备薄膜的Raman图谱中都存在4个明显的Raman峰，它们分别位于174cm-1，196 cm-1，236 cm-1，326 cm-1频移波数附近，其中174 cm-1，196 cm-1，236 cm-1频移波数对应于CZTSe振动峰位，而326 cm-1处观察到的弱拉曼峰对应于CZTS振动峰位[15]，表明形成了CZTSSe薄膜。此外Raman图谱中未出现ZnSe、CuSnSe3、ZnS和SnS2等杂相峰，进一步证实了通过硒化退火处理可以制备出纯CZTSSe薄膜。此外，从图中可以看出随着硒化温度的升高，236 cm-1和326 cm-1波数处的峰变化不明显，而174 cm-1和196 cm-1波数处的峰变得更加尖锐，即半高宽的值更小，在580℃时半高宽值最小，而升温到600℃时半高宽值反而增大，说明硒化温度为580℃时CZTSSe薄膜的结晶质量最好，与上述XRD分析的结果相一致。