《表3 不同硒化温度下CZTSSe薄膜构成元素的原子百分比及某些组分比例》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《"硒化温度对柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及太阳电池性能的影响"》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

薄膜中不同元素的化学计量在太阳能电池性能中起着关键作用。通过EDS测量了不同温度硒化制得CZTSSe薄膜样品中的各元素的原子百分比及某些组分的成分比例，如表3所示。不同的硒化温度会显著影响硒掺入的含量和各元素的成分比例。从表中可以看出，随着硒化温度的升高，Cu/（Zn+Sn），Zn/Sn和Se/（S+Se）的比例都有所提高。这可能是由于Sn高温下挥发并且S原子被Se原子取代的结果。并且在硒化温度大于540℃的CZTSSe薄膜都表现出贫铜（Cu/ （Zn+Sn）<1） 富锌（Zn/Sn>1）的元素比例。研究表明，当Cu/（Zn+Sn）～0.8-0.9且Zn/Sn～1.1-1.2时CZTSSe薄膜太阳电池具有更好的光电性能和转换效率[19]。这是因为贫铜的化学成分组成有利于形成铜空位作为受主缺陷，提高p型导电性能，而富锌成分可以有效抑制（2CuZn+SnZn）这种深能级缺陷对的形成，从而提高太阳能电池的转换效率[20]。580℃硒化温度制备的薄膜中的Cu/（Zn+Sn）和Zn/Sn的比值与上述高效率CZTSSe薄膜太阳电池的元素组分比最为接近，因此该温度下制备的CZTSSe薄膜的性能最好。