《表1 不同氮分压制备条件下Zr N薄膜的EDS测量结果(原子百分比)及氮锆比(N/Zr)》
Zr N薄膜的EDS能谱结果如表1所示,测量结果显示薄膜中存在Zr、N、Si、O等元素,薄膜中N、Zr原子比N/Zr随着溅射N2分压的增加而增大。显然,Zr和N来源于Zr N,而Si和O来源于基片。随着N2分压的增大,薄膜中N含量逐渐增加。薄膜中O含量基本未发生改变,表明未出现明显氧化。
图表编号 | XD00217439700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.01.25 |
作者 | 吴键坤、李兆国、彭丽萍、易勇、张继成 |
绘制单位 | 西南科技大学材料科学与工程学院、中国工程物理研究院激光聚变研究中心、中国工程物理研究院激光聚变研究中心、中国工程物理研究院激光聚变研究中心、西南科技大学材料科学与工程学院、中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
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